韩国巨资布局功率半导体 瞄准下一代技术突破

韩国巨资布局功率半导体 瞄准下一代技术突破。韩国政府近日启动了“超级创新经济项目”，计划投入5000亿韩元（约合22.3亿元人民币）的国家资金，专项攻关下一代功率半导体技术。加上民间配套资金，该项目总规模预计将达7500亿韩元（约合4.94亿美元）。韩国将功率半导体定位为与存储芯片同等重要的核心战略产业。

在6月14日召开的紧急经济指挥部会议上，韩国副总理兼经济财政部长官具允哲敲定了该项目细则。政府计划本月内确定下一代功率半导体的商业化技术路线图，并要求产业链企业参与从材料、器件、模块到系统演示的全周期开发过程。会议上，下一代功率半导体与小型模块化反应堆（SMR）和传感器人工智能一起被视为确保未来增长引擎的重要项目。

具允哲表示，将认真推进结构性改革和超创新经济项目，以发现新的未来增长引擎。此次攻关重点集中在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等化合物半导体上。韩国产业通商资源部已成立专项工作组，旨在升级釜山、浦项等地的专业园区晶圆厂。

功率半导体是电能转换与控制的核心器件，在AI数据中心、新能源汽车、智能电网中发挥关键作用。在AI算力爆发背景下，数据中心需要稳定高效的电力运行，这高度依赖于功率半导体。相较于传统硅基半导体，SiC和GaN等第三代半导体材料在耐高压、耐高温及高频环境下性能更优，有助于提升人工智能数据中心能效、延长电动汽车续航并稳定国家电网。

最新研报显示，功率半导体正迎来景气上行周期。受晶圆代工成熟制程产能收缩和AI算力需求爆发双重驱动，全球功率半导体出现结构性紧缺，MOSFET和第三代半导体器件价格持续上涨，部分企业年内已多次调价。AI服务器800V高压直流、固态变压器等新应用正加速拉动高端功率器件需求，SiC和GaN市场进入高增长通道。韩国巨资布局功率半导体 瞄准下一代技术突破！